На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Микроострия. Свойства, изготовление, применение» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Знания и навыки, Словари, справочники, Руководства. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Микроострия. Свойства, изготовление, применение

Автор
Дата выхода
30 ноября 2017
🔍 Загляните за кулисы "Микроострия. Свойства, изготовление, применение" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Микроострия. Свойства, изготовление, применение" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Сергей Зайцев) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
Микроострия — один из важнейших инструментов в нанотехнологиях и вакуумной микроэлектронике. Вместе с тем, они находят эффективное применение в самых неожиданных областях науки и техники. Возможно, их использование поможет решить Ваши проблемы.
📚 Читайте "Микроострия. Свойства, изготовление, применение" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Микроострия. Свойства, изготовление, применение", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
Одним из наиболее важных с практической точки зрения является автоэлектронная (холодная) эмиссия. Механизм явления состоит в туннельном проникновении электронов из металла в вакуум через потенциальный барьер, который снижается и сужается сильным электрическим полем у вершины микроострия до такой степени, что вероятность проникновения электронов через него достигает заметных величин. Плотность автоэлектронного тока j зависит от величины работы выхода электронов материала поверхности & и напряженности электрического поля.
j = 1.54·10
{E
/ [& t
(y)} exp {-6,83·10
&
? (y) /F},
где y = 3.79·10
(?E) /&, функции ? (y) и t (y) табулированы.
При достаточно высоком положительном потенциале на микроострие начинается ионизация атомов окружающего газа у его поверхности. Таким образом, оно становится эффективным точечным ионным источником. Так, ионизация атомов гелия начинается при напряженности поля у поверхности равной 4,5·10
В/м [4].
Третьим важнейшим эффектом, связанным с концентрированием электрического поля, является испарение атомов материала микроострия в достаточно сильном электрическом поле в виде ионов. Именно этот процесс и ограничивает возможности по увеличению напряженности поля у поверхности выше ?10
В/м, так как при интенсивном испарении атомов радиус при вершине увеличивается и, соответственно, напряженность снижается.
/4x. Для энергии активации Q
полевого испарения поверхностного атома в виде n – кратного иона получается выражение: Q
= Q
– (ne)
F
, (•)
где Q
– энергия, требуемая для удаления поверхностного атома в виде n – кратного иона на бесконечность в отсутствие поля.
Альтернативная модель «постионизации» (или обмена зарядом) рассматривает полевую десорбцию атома А с металла М как переход из состояния А+М в состояние А
+M
. Переход происходит на критическом расстоянии х
, где потенциальные энергии этих двух состояний равны.











