На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Знания и навыки, Учебная и научная литература, Учебники и пособия для вузов. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии
0 баллов
0 мнений
0 чтений
Автор
Дата выхода
30 января 2019
🔍 Загляните за кулисы "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Игорь Житяев) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
В пособии рассмотрены взаимодействие световых потоков с полупроводниковой структурой, режимы обработки, процессы отжига и рекристаллизации поликремниевых и аморфных слоев, отжига и легирования полупроводниковых структур, формирование контактно-металлизационной системы, планаризация, а также получение диэлектрических пленок.
Учебное пособие может быть использовано при подготовке магистров по направлениям 28.04.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника, 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств, 11.04.04 – Электроника и наноэлектроника в курсе «Лучевые процессы нанотехнологии».
📚 Читайте "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
Фотон может также поглощаться электроном или дыркой, находящейся в локализованном состоянии. При этом заряженная частица переходит либо в свободное, либо в другое локализованное состояние.
Локализованные состояния могут иметь различную физическую природу: атомы примеси в узлах или междоузлиях, вакансии и др. Поэтому в общем случае достаточно трудно получить выражение для коэффициента поглощения данного вида. Однако если локализованные состояния имеют водородоподобный спектр, то к ним можно применить теорию излучения (поглощения) атома водорода.
Тут будет реклама 1
Тогда выражение для коэффициента поглощения на локализованных состояниях можно записать как
где N
E
– концентрация и энергия ионизации рассеивающего центра; В – константа [11].
Входящие в (6-10) параметры E
, n, ? сами являются функциями многих переменных. В частности, ширина запрещенной зоны Е
с ростом температуры и концентрации примеси уменьшается. Наибольшее влияние E
на ? проявляется в диапазоне температур 600-750 К из-за смещения края собственного поглощения в коротковолновую область.
Тут будет реклама 2
Известная зависимость (11) для кремния не учитывает влияние дефектности и термохимических напряжений, однако они могут быть учтены с помощью коэффициента поглощения в локализованных состояниях [14].
Концентрация свободных носителей заряда будет равна сумме собственной концентрации носителей n
, носителей, образованных ионизированными атомами примеси N
, и за счёт генерации неравновесных электронно-дырочных пар n
, поэтому справедливо будет выражение
Первое слагаемое в правой части определяется выражением [15]
Как видно, n
существенно зависит от температуры, что влечёт за собой высокую чувствительность ? к температуре.
Тут будет реклама 3
Концентрация ионизированных атомов примеси, определяемая коэффициентом активации, может изменяться в процессе лазерного нагрева, если происходит облучение ионно-легированных слоёв.
Тут будет реклама 4
Скорость же генерации неравновесных электронно-дырочных пар может быть найдена из выражения
где t
– длительность воздействия импульса излучения [16, 17].
Подвижность носителей заряда в кремнии определяется в основном рассеянием на акустических фононах и на ионизированных примесях и может быть выражена следующей зависимостью, например, для дырок [18]:
На рис.
Мнения
О книге «Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии» ещё никто не оставил отзыв — у вас есть шанс стать первым, чьё мнение задаст тон всему обсуждению! Поделитесь впечатлениями, эмоциями, замечаниями или рекомендациями. Ваш отзыв не только добавит живого голоса к произведению, но и поможет будущим читателям понять, стоит ли им открыть эту книгу. Не держите мысли при себе — ваше слово имеет значение!
