На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Знания и навыки, Учебная и научная литература, Учебники и пособия для вузов. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии
0 баллов
0 мнений
0 чтений
Автор
Дата выхода
30 января 2019
🔍 Загляните за кулисы "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Игорь Житяев) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
В пособии рассмотрены взаимодействие световых потоков с полупроводниковой структурой, режимы обработки, процессы отжига и рекристаллизации поликремниевых и аморфных слоев, отжига и легирования полупроводниковых структур, формирование контактно-металлизационной системы, планаризация, а также получение диэлектрических пленок.
Учебное пособие может быть использовано при подготовке магистров по направлениям 28.04.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника, 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств, 11.04.04 – Электроника и наноэлектроника в курсе «Лучевые процессы нанотехнологии».
📚 Читайте "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
Первое слагаемое в правой части определяется коэффициентом отражения R
, второе и третье – коэффициентом поглощения и толщиной пластины.
Проникновение излучения в глубину твёрдого тела описывается законом Бугера – Ламберта
где ? – коэффициент поглощения, x – координата по глубине. Тогда часть излучения, поглощенная пластиной толщиной d
, без учёта внутренних отражений будет равна
а выражение для плотности потока, прошедшего сквозь пластину, имеет вид
Уменьшение интенсивности фотонного излучения, проходящего через твёрдое тело, происходит за счёт взаимодействия с поглощающими центрами.
Тут будет реклама 1
Важнейшей оптической характеристикой облучаемой структуры является коэффициент поглощения.
В силу зависимости последнего от многих факторов (таких, как тип материала, концентрация легирующих примесей, дефектность структуры, температура, а также длина волны излучения) для адекватного моделирования рассматриваемых процессов необходим детальный анализ механизмов поглощения.
Тут будет реклама 2
Полный коэффициент поглощения ? равен сумме коэффициентов поглощения различными центрами:
В полупроводниках различают пять основных типов оптического поглощения:
– собственное;
– поглощение на свободных носителях;
– поглощение на локализованных состояниях;
– экситонное;
– решеточное [11, 12].
Световая волна, попадая в проводящую среду, воздействует на подвижные носители заряда. Электроны, ускоряясь, увеличивают свою энергию за счёт энергии волны.
Тут будет реклама 3
Сталкиваясь с решеткой, они отдают свою энергию решетке. Спектральная зависимость коэффициента поглощения свободными носителями заряда имеет вид
где е – заряд электрона; n, ?, m
– концентрация, подвижность и эффективная масса носителей заряда соответственно; с – скорость света в вакууме; ?
– диэлектрическая постоянная;
– показатель преломления; ? – длина волны.
Если энергия фотонов больше ширины запрещённой зоны, то имеет место собственное поглощение, при котором электрон из валентной зоны может переходить в зону проводимости.
Тут будет реклама 4
При этом различают прямые и непрямые переходы электронов. В последних, характерных для кремния, наряду с фотоном и электроном участвует третья частица – фонон. Выражения для коэффициента собственного поглощения имеют вид
где h? – энергия фотона; E
– ширина запрещенной зоны; E
– энергия фонона; А – константа [11, 13].
Мнения
О книге «Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии» ещё никто не оставил отзыв — у вас есть шанс стать первым, чьё мнение задаст тон всему обсуждению! Поделитесь впечатлениями, эмоциями, замечаниями или рекомендациями. Ваш отзыв не только добавит живого голоса к произведению, но и поможет будущим читателям понять, стоит ли им открыть эту книгу. Не держите мысли при себе — ваше слово имеет значение!
