На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Знания и навыки, Учебная и научная литература, Прочая образовательная литература. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника

Дата выхода
31 июля 2020
🔍 Загляните за кулисы "Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Николай Петрович Проскурин) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
Показано, что параметры направляющих сред и логических элементов цифровых электронных ИС приближаются к определенному пределу. Имеются существенные преимущества оптических и оптоэлектронных устройств в областях передачи, приема, преобразования потоков информации др., в т. ч. в ИС, цифровых устройствах телекоммуникации, компьютерных системах (КС), и т. д., основанные на использовании электронейтральных фотонов и диэлектрических направляющих сред и/или оптических волноводов.
📚 Читайте "Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
Перечень сокращений
АЧХ – амплитудно- частотная характеристика
Б – база
БМ – библиотека моделей
ВАХ – вольтамперная характеристика
ВОК – волоконно-оптический канал
ВОЛС – волоконные оптические линии связи
ВОП – волоконно-оптическая пластина
ВОСС – волоконные оптические системы связи
ВП – виртуальные параметры
ВУ – вычислительное устройство
ВЧ – высокие частоты, высокочастотный (О-очень, У-ультра, С-сверх)
ГИ – генератор импульсов (КГИ – кольцевой ГИ)
ДП – двухполюсник
ЗЗ, ЗП, ЗВ – зоны: запрещенная, проводимости, валентная
ИД – исходные данные
ИК – инфракрасный
ИКМ – импульснокодовая модуляция
ИЛ – инжекционный лазер
ИП – источник питания (Д – дополнительный, О – основной)
ИС – интегральная схема
ИСОС – интегральная схема с оптическими связями
ИФУ – интегральное фотоприемное устройство
К – коллектор
КПД – коэффициент полезного действия
ЛД – лазерный диод
МАЭС – моделирование аналоговых электронных схем
ММП – математическая модель прибора
МОП – металл-окисел-полупроводник
МПК – метод перевернутого кристалла
НЗ – носители заряда
ОИ – оптоэлектронный инвертор
ОЛЭ – оптоэлектронный логический элемент
ОЛУ – оптоэлектронное логическое устройство
ОПЗ – область пространственного заряда
ОСГ – объемная скорость генерации
ОЭ – общий эмиттер
ОЭП – оптоэлектронный прибор
ПВИ – поверхностный вывод излучения
ППС – полупроводниковая структура
ПР – профиль распределения
ПС – программная среда
СД – светоизлучающий диод
УУ – устройство управления
УФ – усилитель фототока
ФД – фотодиод
ФП – фотоприемник
ФР – фоторезистор
ФТ – фототиристор
ФТр.
ЦС – цифровой сигнал
ЧМ – численное моделирование
Э – эмиттер
DWDM – dense wavelength division multiplexing (мультиплексирование по длине волны высокой плотности)
МВМЕ (MOVPE) – molecular beams metod epitaxy (metalorganic vapor phase epitaxy) молекулярно-лучевой метод эпитаксии (металлорганическая парофазная эпитаксия)
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕЛЕНИЕ – 7.
РАЗДЕЛ 1. ОБЗОР ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
1.1. Характер физических и конструктивно-технологических ограничений микро- и наноэлектроники в цифровых интегральных схемах – 15.
1.2. Преимущества оптоэлектронных приборов в системах передачи информации и управления объектами над проводными линиями – 23.
1.3. Твердотельные оптопары, их разновидности, анализ конструкций – 29.
1.4.





