На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Техническая литература. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал

Автор
Дата выхода
20 июля 2022
🔍 Загляните за кулисы "Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Ибратжон Хатамович Алиев) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
Международный научный журнал «Все науки», созданный при ООО «Electron Laboratory» и Научной школе «Электрон», является научным изданием, публикующим последние научные результаты в самых различных областях науки и техники, представляя собой также сборник публикаций по вышеуказанным темам коллегии авторов и рецензируемый редколлегией на платформе «Ридеро» ежемесячно.
📚 Читайте "Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
В отличие от сегнетоэлектриков [4, 5] фотовольтаический эффект в ZnS можно наблюдать только в поляризованном свете [8,9]. В соответствии (3) и симметрией точечной группы при освешении кристалла в z направлении оси 4 порядка (оси z) выражение фотовольтаического тока в z направлении имеет вид:
где – угол между плоскостью поляризации света и осью х.
Измерение фотовольтаического тока J
и генерируемого им поля
(s
– фотопроводимость) производилось путем снятая стационарных вольт-амперных характеристик [5].
На рис.1 представлена ориентационная зависимость в направлении [001], снятая при Т = 143К при освещении светом с длинной волны l=500 нм (a*=5 см
) и интенсивностью I=2.3?10
Вт?см
. Кристалл освещается плоско поляризованным светом в направлении [001].Сравнение этой угловой зависимости с (4) даёт
K
=2?10
A?см? (Вт)
.
Таким образом, значение модуля К
в исследованных кристаллах ZnS существенно выше, чем у известных сегнето- и пьезоэлектриков [4, 5,6].
В интервале Т=140—300
К модуль К
обнаруживает слабую температурную зависимость. Благодаря этому, а также из-за сильной температурной зависимости фотопроводимости s
, генерируемое в направление оси z поле
изменялось в пределах от 1В·см
(Т=300
К) до 40В·см
(Т=143
К) и не зависело от интенсивности света I.
Рис.
в направлении [001]. (T=143K, I=2.3?10
Вт?см
, =500 нм)
В кристаллах ZnS, выращенных гидротермальным методом фотовольтаический эффект имеет в основном примесный характер. Это видно из рис.2 где представлены спектральные распределения фотопроводимости s
(1) фотовольтаического тока (2), отнесенные к единицы падающей энергии и края оптического поглощения (3).
Примесная полоса в спектральном распределении имеет место вблизи l=500 нм.
Рис.2. Спектральное распределение фотовольтаического тока J
(2), фотопроводимости s
(1) и оптического поглощения * (3) приТ=143К. =45
2.











