На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Техническая литература. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография
0 баллов
0 мнений
0 чтений
Дата выхода
27 октября 2022
🔍 Загляните за кулисы "Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Салим Мадрахмович Отажонов) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
В монографии приводятся физические свойства и механизм образования фото-ЭДС в пленках А2В6. Комплексное изучение фото-ЭДС и фотопроводимости позволил определить энергии их активации и свойства межкристаллических барьеров вдоль слоя. Рассмотрена структура края поглощения пленок для упрощения анализа спектров фотопроводимости и тока замыкания. Монография предназначена для научных работников, студентов и аспирантов тех. образования. Монография рекомендована к печати Ученым советом ФерГУ.
📚 Читайте "Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
аппроксимируется со степенной закономерностью
при подсветке
Такое однозначное поведение ЛАХ, т.е. уменьшение ФП с ростом, связано с отсутствием влияния асимметрии на поперечную ФП. При параллельной асимметрии кристаллитов фотопроводимость в области значений от 5 до 15 аппроксимируется со степенной закономерностью
при подсветке с
Сверх-линейность ЛАХ при малых уровнях возбуждения показывает, что в этой области дрейфовые барьеры уменьшаются быстрее по сравнению с рекомбинационными барьерами, особенно это проявляется в случае перпендикулярной ФП.
Тут будет реклама 1
С увеличением интенсивности света ЛАХ переходит от сверх-линейности к линейности и сублинейности. В этом случае влияние дрейфовых барьеров исчезает и поэтому ЛАХ в обоих направлениях практически совпадают.
Различие коэффициентов ЛАХ при малых уровнях возбуждения особенно при освещении квантами света h?=1,1?1,2 эВ, когда генерируется электроны из уровня E
– 1,03 эВ в зону проводимости, и асимметрия спектральных зависимостей ФП говорят о том, что потенциальные барьеры в обоих направлениях различны.
Тут будет реклама 2
Отметим также еще одну особенность спектрального распределения ФП. Нарастание ФП происходит более резко, чем возрастает коэффициент поглощения (см. например рис. 2 и 7). Это показывает, что ФП определяется не только скоростью генерации носителей, но и временем жизни. Достаточно резкое его повышение (при возрастании поглощении света на 1—2 порядка ФП растет на 3—4 порядка) показывает на возможное влияние рекомбинационных барьеров.
Тут будет реклама 3
Таким образом, изучая ЛАХ, спектры ФП и I
в направлениях вдоль и поперек возникающей фото-ЭДС, можно получить информацию об асимметричности барьеров в этих направлениях.
§4. Примесный АФН-эффект. Спектральное распределение фото- ЭДС в Тонких пленках
Теперь приступаем к рассмотрению спектра фото-ЭДС и тока короткого замыкания. Как следует из анализа спектра поглощения (§1) и спектра фотопроводимости (§3) легированных серебром Тонких пленок CdTe, что последние обнаруживают существенное примесное поглощение и обладают примесной фотопроводимостью.
Тут будет реклама 4
Возникает нетривиальный естественный вопрос не возникают высоковольтный фото-ЭДС, т. е. АФН в примесной области поглощения в этих пленках. До настоящего времени практически во всех работах [1—10], посвященных исследованию АФН эффекта, утверждалось, что этот эффект вызывается светом из области собственного поглощения [2].
Мнения
О книге «Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография» ещё никто не оставил отзыв — у вас есть шанс стать первым, чьё мнение задаст тон всему обсуждению! Поделитесь впечатлениями, эмоциями, замечаниями или рекомендациями. Ваш отзыв не только добавит живого голоса к произведению, но и поможет будущим читателям понять, стоит ли им открыть эту книгу. Не держите мысли при себе — ваше слово имеет значение!
