На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Все науки. №7, 2022. Международный научный журнал» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Техническая литература. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Все науки. №7, 2022. Международный научный журнал

Автор
Дата выхода
15 декабря 2022
🔍 Загляните за кулисы "Все науки. №7, 2022. Международный научный журнал" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Все науки. №7, 2022. Международный научный журнал" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Ибратжон Хатамович Алиев) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
Международный научный журнал «Все науки», созданный при OOO «Electron Laboratory» и Научной школе «Электрон», является научным изданием, публикующим последние научные результаты в самых различных областях науки и техники, представляя собой также сборник публикаций по вышеуказанным темам коллегией авторов и рецензируемый редколлегией (учёным советом) Научной школы «Электрон».
📚 Читайте "Все науки. №7, 2022. Международный научный журнал" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Все науки. №7, 2022. Международный научный журнал", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
Но время шло и любовь к Родине становилась всё сильнее и сильнее, увеличивая желание вновь лицезреть такие дорогие края Узбекистана, своих родных, двух сыновей и дочку, а также ставший уже почти родным Ферганский политехнический институт (ФерПИ). Именно поэтому он в 1980 году возвращается в Узбекистан в ФерПИ и с этого времени деятельность его тесно связана с политехническим институтом. Там он начинает возглавлять энергетический факультет.
На момент 1982 года он, будучи в самом рассвете сил, в свои 41 год увидел очередные плоды своих трудов – высшая аттестационная комиссия присвоила Тожибою Мирзамахмудовичу учёное звание профессора. С 1984 года по 1987 год Тожибой Мирзамахмудович занял почётный пост проректор вечерне-заочного отделения Ферганского Политехнического Института, активно продолжая своей научной деятельности, но тяга к познанию, жажда созидания продолжала ему мучить, из-за чего с 1987 года до 1991 года он вступил на должность проректора по научным работам, где смог вновь окунуться в потрясающий мир науки и созидания.
Широкую известность и признание принесли Мирзамахмудову работы в области исследования фоторезистивных и фотоэлектретных явлений в полупроводниковых плёночных элементах. Если говорить проще, то данные плёночные элементы при освещении передавали энергию, но при её отсутствии не сразу её теряли, а уменьшали величину передаваемого тока весьма равномерно, вплоть до некоторой величины, которую они сохраняли словно элемент памяти!
В данной области Мирзамахмудовым и группой его учеников проведён цикл исследований по разработке и исследованию фотоэлектретных элементов, тех самых ячеек памяти, возникающих за счёт внутреннего поля
p-n-переходов.











