На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Техническая литература. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал
0 баллов
0 мнений
0 чтений
Автор
Дата выхода
03 августа 2023
🔍 Загляните за кулисы "Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Ибратжон Хатамович Алиев) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
Международный научный журнал «Все науки», созданный при OOO «Electron Laboratory» и Научной школы «Электрон», является научным изданием, публикующим последние научные результаты в самых различных областях науки и техники, представляя собой также сборник публикаций по вышеуказанным темам коллегией авторов и рецензируемый редколлегией (учёным советом) Научной школы «Электрон».
📚 Читайте "Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
В результате локального освещения сегнето или пьезоэлектрического кристалла интенсивным проходящим светом (сфокусированным лучом лазера) в объеме кристалла внутри светового пучка имеет место обратимое изменение двулучепреломления, главным образом за счёт изменения показателя преломления необыкновенного луча n
. Величина этого изменение достигает 10
-10
для некоторых пироэлектриков (LiNbo
LiTa0
), а время его существования может изменяться в широких пределах, от миллисекунд в BaTiO
до месяцев в LiNbO
.
Тут будет реклама 1
Запись голограммы осуществляется благодаря объемной модуляции значения Dn, соответствующей модуляции записывающего луча. Разрешающая способность записи исключительно высокие, 10
—10
лин/мм. [7, 9].
Главное преимущество этого метода оптической памяти по сравнению с фотографическими слоями заключается в возможности параллельной записи, считывания и стирания.
Как показано знак, и величина фотовольтаического тока зависит от симметрии кристалла и поляризации света.
Тут будет реклама 2
Фотовольтаический ток приводит к генерации в том же направлении аномально больших фотонапряжений. Таким образом, за время экспозиции t в кристалле возникает макроскопическое поле.
(5)
Благодаря линейному электрическому эффекту поле приводит к ФР эффекту:
(6)
где r
– электрооптические коэффициенты. Уравнение (6) записано в главной системе координат. После освещения поле сохраняется в кристалле длительное время благодаря захвату неравновесных электронов и дырок.
Тут будет реклама 3
Этот механизм захвата ответствен за оптическую память.
Использование в голографической записи в LiNbO3: Fe дает преимущества. В этом случае запись осуществляется фотовольтаическим эффектом (ФЭ) соответствующей фотовольтаическому току. Генерируемое фотонапряжение порядка (10
—10
) В/см ответствен за оптический память в кристаллах LiNbO3: Fe.
Стирание может осуществляться путем отжига кристалла при 170
С. Имеются и другие методы стирания.
Тут будет реклама 4
2. ЗВУКОВАЯ ПАМЯТЬ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ
В технике уже довольно давно используют слегка желтоватые монокристаллы ниобата лития LiNbO
. Это удивительно «талантливый» материал: сегнетоэлектрик (его диэлектрическая проницаемость зависит от напряженности электрического поля, температуры и предварительной поляризации). Кристалл содержит особые микроскопические области – сегнетоэлектрические домены, различающиеся по направленности поляризации.
Мнения
О книге «Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал» ещё никто не оставил отзыв — у вас есть шанс стать первым, чьё мнение задаст тон всему обсуждению! Поделитесь впечатлениями, эмоциями, замечаниями или рекомендациями. Ваш отзыв не только добавит живого голоса к произведению, но и поможет будущим читателям понять, стоит ли им открыть эту книгу. Не держите мысли при себе — ваше слово имеет значение!
Другие книги автора
Если «Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал» пришлась вам по душе, самое время открыть для себя другие работы Ибратжон Хатамович Алиев! В этой подборке — только произведения того же автора, чтобы вы могли глубже погрузиться в его творческий мир и насладиться схожим стилем, темами и атмосферой. Возможно, следующая книга станет для вас ещё более ярким открытием.
