На нашем ресурсе вы можете полностью погрузиться в мир книги «Оптоэлектронные ИС: результаты макетирования, моделирования маломощных переключений элементов оптронов» — читайте её онлайн бесплатно в полной, несокращённой версии. Если предпочитаете слушать — воспользуйтесь аудиоформатом; хотите сохранить — скачайте через торрент в fb2. Жанр произведения — Техническая литература. Также на странице доступно подробное описание, авторская аннотация, краткое содержание и живые отзывы читателей. Мы постоянно пополняем библиотеку и улучшаем сервис, чтобы создавать лучшее пространство для всех ценителей качественной литературы.
Оптоэлектронные ИС: результаты макетирования, моделирования маломощных переключений элементов оптронов

Автор
Дата выхода
03 февраля 2021
🔍 Загляните за кулисы "Оптоэлектронные ИС: результаты макетирования, моделирования маломощных переключений элементов оптронов" — аннотация, авторский взгляд и ключевые моменты
Перед погружением в полный текст предлагаем познакомиться с произведением поближе. Здесь собраны авторские заметки, аннотация и краткое содержание "Оптоэлектронные ИС: результаты макетирования, моделирования маломощных переключений элементов оптронов" — всё, что поможет понять глубину замысла и подготовиться к чтению. Материалы представлены в оригинальной авторской редакции (Николай Проскурин) и сохраняют аутентичность произведения. Если чего-то не хватает — сообщите нам в комментариях, и мы дополним описание. Читайте мнения других участников сообщества: их отзывы часто раскрывают скрытые смыслы и добавляют новые грани понимания. А после прочтения обязательно вернитесь сюда — ваш отзыв станет ценным вкладом в общее обсуждение книги.
Описание книги
Приведены результаты макетирования схем оптоэлектронных переключателей, устройств на их основе, в маломощных режимах (значение токов СД оптронов на порядок меньше номинальных), что открывает возможность использовать дискретные оптроны СД-ФР, СД-ФТр. и СД-ФД. Перспективным оказались оптроны типа СД — p-i-n ФД (с ВЧ n-p-n транзистором). На макетах схем ОЛУ (кольцевой «ГИ», «R-S» триггер, др.) при модуляции СД в составе маломощных схем ОЛЭ nИЛИ-НЕ получены частоты переключения до 0,1…0,25МГц.
📚 Читайте "Оптоэлектронные ИС: результаты макетирования, моделирования маломощных переключений элементов оптронов" онлайн — полный текст книги доступен бесплатно
Перед вами — полная электронная версия книги "Оптоэлектронные ИС: результаты макетирования, моделирования маломощных переключений элементов оптронов", адаптированная для комфортного онлайн-чтения. Мы разбили произведение на страницы для удобной навигации, а умная система запоминает, на какой странице вы остановились — можно закрыть браузер и вернуться к чтению позже, не тратя время на поиски. Персонализируйте процесс: меняйте шрифты, размер текста и фон под свои предпочтения. Погружайтесь в мир литературы где угодно и когда угодно — любимые книги теперь всегда под рукой.
Текст книги
Недостатком указанных ПС являются закрытость внутренних параметров моделей, ограничение возможностей создания новых приборов на их основе, отсутствие инструмента моделирования электронных компонентов с расчетными параметрами [57]. Вопрос ввода расчетных параметров новых устройств в модель после их формализации (например, ввода характеристик ППС – СД и ФП микромощной оптопары ОВЧ диапазона) не решается на основе таких ПС. Причина – жесткая их связь с существующими БМ и закрытыми для пользователя описаниями в них моделей электронных элементов (в виде «черного ящика»), которые разрабатывает и пополняет за плату производитель электронного изделия.
Анализ имеющихся ПС указал на оригинальную отечественную разработку – ПС Моделирование Аналоговых Электронных Схем – МАЭС-П [58—61], особенности построения и применения которой позволяют: моделировать электрические схемы ОЛЭ, ОЛУ на основе модели оптопары К249КП1 (СД-ФТр.) из ее БМ, вводить в нее виртуальные и расчетные параметры их ППС. ПС МАЭС-П (см.
В следующем подразделе приведена оценка методов физикотопологического проектирования – инструмента для расчета ППС, указаны их достоинства и недостатки.
2.3. Методы физикотопологического проектирования и моделирования полупроводниковых структур
В настоящем пункте проведен анализ и выбор методов решения основных дифференциальных уравнений, описывающих процессы переноса НЗ в ППС [35—38] применительно к задаче расчета элементов ОВЧ оптопары.
Аналитические модели ВАХ ППС (модели: Молла-Росса для низкого уровня инжекции; Гуммеля-Пуна для высокого уровня инжекции; Эберста-Молла для режимов высоких плотностей тока) содержат обычно упрощающие предположения, которые ограничивают область применения каждой конкретной формулы моделей [35,62—64]. Использование упрощенных одномерных моделей ППС Эберса-Молла и соответствующих уравнений при расчетах их параметров для ФД следует проводить только после учета ряда дополнительных эффектов: расширение базы (Б), Оже- рекомбинации и др.





